MUN2213JT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN2213JT1G概述

SC-59 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R

MUN2213JT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MUN2213JT1G

描述：SC-59 NPN 50V 100mA

替代型号MUN2213JT1G

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MUN2213JT1G

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