



MMUN2230LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 1k 1k 增益3.0-5.0 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8G ESD保护
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V
集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 1KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 1KΩ/Ohm
电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1
直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 3.0-5.0
截止频率fT Transtion FrequencyfT|
耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW
Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space and Component Count • The SOT-23 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull-winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. • Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. Replace “T1” with “T3” in the Device Number to order the13 inch/10,000 unit reel.
描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间和元件数量 •SOT-23封装,可以使用波或回流焊接。修改后的鸥翅引线在焊接热应力吸收消除模具损坏的可能性。 •可在8 mm压纹带和卷轴。使用的设备 号码编排7 inch/3000的单位卷轴。替换“T1” “T3”的设备号编排13 inch/10,000单位卷轴。
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMUN2230LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2230LT1G 安森美 | 完全替代 | MMUN2230LT1和MMUN2230LT1G的区别 |
MUN5230T1G 安森美 | 类似代替 | MMUN2230LT1和MUN5230T1G的区别 |
MUN5230T1 安森美 | 功能相似 | MMUN2230LT1和MUN5230T1的区别 |