MMUN2215LT1

MMUN2215LT1图片1
MMUN2215LT1图片2
MMUN2215LT1图片3
MMUN2215LT1图片4
MMUN2215LT1图片5
MMUN2215LT1图片6
MMUN2215LT1图片7
MMUN2215LT1图片8
MMUN2215LT1概述

MMUN2215LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 增益160-350 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8E ESD保护

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V

\---|---

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V

集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A

基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm

基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2|

电阻比R1/R2 Resistance Ratio|

直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 160-350

截止频率fT Transtion FrequencyfT|

耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW

Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space and Component Count • The SOT-23 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull-winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. • Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. Replace “T1” with “T3” in the Device Number to order the13 inch/10,000 unit reel.

描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间和元件数量 •SOT-23封装,可以使用波或回流焊接。修改后的鸥翅引线在焊接热应力吸收消除模具损坏的可能性。 •可在8 mm压纹带和卷轴。使用的设备 号码编排7 inch/3000的单位卷轴。替换“T1” “T3”的设备号编排13 inch/10,000单位卷轴。

MMUN2215LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 246 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMUN2215LT1
型号: MMUN2215LT1
描述:MMUN2215LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 增益160-350 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8E ESD保护
替代型号MMUN2215LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMUN2215LT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMUN2215LT1G

安森美

类似代替

MMUN2215LT1和MMUN2215LT1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台