耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V
额定功率Max 650 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 DIP-14
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册
MPQ6502
Central Semiconductor
当前型号
