双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual PNP
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
Win Source:
Dual General Purpose Transistors
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 150 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MBT3906DW1T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MBT3906DW1T1G 安森美 | 类似代替 | MBT3906DW1T1和MBT3906DW1T1G的区别 |
FFB3906 安森美 | 类似代替 | MBT3906DW1T1和FFB3906的区别 |
MMDT3906-7-F 美台 | 功能相似 | MBT3906DW1T1和MMDT3906-7-F的区别 |