MBT3946DW1T1

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MBT3946DW1T1概述

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

Bipolar BJT Transistor Array NPN, PNP Complementary 40V 200mA 300MHz, 250MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SC-88 T/R


MBT3946DW1T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 A

极性 NPN+PNP

漏源击穿电压 40.0 V

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买MBT3946DW1T1
型号: MBT3946DW1T1
描述:双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
替代型号MBT3946DW1T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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