MBT6429DW1T1概述
MBT6429DW1T1 NPN+NPN复合三极管 55V 200mA 700MHZ HEF=500~1250 SOT-363/SC-88 标记1T 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 55V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 200MA/00.2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 700MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 500~1250 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.6V 耗散功率Pc Power Dissipation | 150MW/0.15W 描述与应用 Description & Applications | 放大器NPN 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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型号： MBT6429DW1T1
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：MBT6429DW1T1 NPN+NPN复合三极管 55V 200mA 700MHZ HEF=500~1250 SOT-363/SC-88 标记1T 用于开关/数字电路
替代型号MBT6429DW1T1
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MBT6429DW1T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MBT6429DW1T1G 安森美 | 完全替代 | MBT6429DW1T1和MBT6429DW1T1G的区别 |