MT48H16M32L2B5-8

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MT48H16M32L2B5-8概述

IC SDRAM 512Mbit 125MHz 90VFBGA

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 125MHz 7.5ns 90-VFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA Tray


MT48H16M32L2B5-8中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

工作电压 1.80 V

时钟频率 125MHz max

存取时间 125 µs

内存容量 512000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-90

外形尺寸

封装 VFBGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT48H16M32L2B5-8
型号: MT48H16M32L2B5-8
制造商: Micron 镁光
描述:IC SDRAM 512Mbit 125MHz 90VFBGA

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