IC SDRAM 512Mbit 125MHz 90VFBGA
SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 125MHz 7.5ns 90-VFBGA 8x13
得捷: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
艾睿: DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA Tray
电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max
工作电压 1.80 V
时钟频率 125MHz max
存取时间 125 µs
内存容量 512000000 B
电源电压 1.7V ~ 1.9V
安装方式 Surface Mount
封装 VFBGA-90
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册