MT47H16M16BG-5E:B TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT47H16M16BG-5E:B TR概述

IC SDRAM 256Mbit 200MHz 84FBGA

SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 200MHz 600ps 84-FBGA 8x14

得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R

MT47H16M16BG-5E:B TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 400MHz max

存取时间 5.00 ns

内存容量 256000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-84

外形尺寸

封装 FBGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MT47H16M16BG-5E:B TR引脚图与封装图

在线购买MT47H16M16BG-5E:B TR

型号： MT47H16M16BG-5E:B TR

描述：IC SDRAM 256Mbit 200MHz 84FBGA