M48Z12-200PC1参数规格_中文资料_数据手册PDF

M48Z12-200PC1概述

5V ， 16Kbit的（ 2K位×8 ） ZEROPOWER SRAM 5V, 16Kbit 2Kb x 8 ZEROPOWER SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 200ns 24-PCDIP, CAPHAT®

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PAR 24PCDIP

贸泽:
NVRAM 16K 2Kx8 200ns

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin PCDIP Tube

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin PCDIP Tube

M48Z12-200PC1中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 2000 B

存取时间Max 200 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

长度 34.8 mm

宽度 18.34 mm

高度 8.89 mm

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

M48Z12-200PC1引脚图与封装图

在线购买M48Z12-200PC1

型号： M48Z12-200PC1

描述：5V ， 16Kbit的（ 2K位×8 ） ZEROPOWER SRAM 5V, 16Kbit 2Kb x 8 ZEROPOWER SRAM

替代型号M48Z12-200PC1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
M48Z12-200PC1 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
DS1220AD-200 美信	完全替代	M48Z12-200PC1和DS1220AD-200的区别
DS1220AD-200IND 美信	完全替代	M48Z12-200PC1和DS1220AD-200IND的区别
DS1220AD-200+ 美信	类似代替	M48Z12-200PC1和DS1220AD-200+的区别