MICRON M29DW323DT70ZE6E 闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚
FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb(4M x 8,2M x 16) 并联 70 ns 48-TFBGA(6x8)
得捷:
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
e络盟:
闪存, 引导块, 非, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚
艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32M-bit 4M x 8/2M x 16 70ns Automotive 48-Pin TFBGA Tray
安富利:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray
Chip1Stop:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32M-bit 4M x 8/2M x 16 70ns Automotive 48-Pin TFBGA Tray
Win Source:
32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
电源电压DC 2.70V min
供电电流 10 mA
针脚数 48
存取时间 70 ns
内存容量 4000000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TFBGA-48
封装 TFBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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M29DW323DT70ZE6E Micron 镁光 | 当前型号 | 当前型号 |
M29W320ET70ZE6E 镁光 | 完全替代 | M29DW323DT70ZE6E和M29W320ET70ZE6E的区别 |
M29DW323DB70ZE6E 镁光 | 完全替代 | M29DW323DT70ZE6E和M29DW323DB70ZE6E的区别 |
M29W320DT70ZE6E 镁光 | 完全替代 | M29DW323DT70ZE6E和M29W320DT70ZE6E的区别 |