MT8HTF6464HY-53EB3

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MT8HTF6464HY-53EB3概述

MODULE DDR2 512Mb 200SODIMM

Memory Module DDR2 SDRAM 512MB 533MT/s 200-SODIMM


得捷:
MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM


艾睿:
DRAM Module DDR2 SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray


Chip1Stop:
DRAM Module DDR2 SDRAM 512MByte 200SODIMM Tray


MT8HTF6464HY-53EB3中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.80 V

内存容量 512000000 B

封装参数

封装 SODIMM-200

外形尺寸

高度 30.0 mm

封装 SODIMM-200

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MT8HTF6464HY-53EB3引脚图与封装图
MT8HTF6464HY-53EB3引脚图
MT8HTF6464HY-53EB3封装图
MT8HTF6464HY-53EB3封装焊盘图
在线购买MT8HTF6464HY-53EB3
型号: MT8HTF6464HY-53EB3
制造商: Micron 镁光
描述:MODULE DDR2 512Mb 200SODIMM

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