双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 187 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5216DW1T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5216DW1T1G 安森美 | 类似代替 | MUN5216DW1T1和MUN5216DW1T1G的区别 |
MUN5216T1 安森美 | 功能相似 | MUN5216DW1T1和MUN5216T1的区别 |