MUN5235DW1T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN5235DW1T1概述

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

MUN5235DW1T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MUN5235DW1T1

描述：双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

替代型号MUN5235DW1T1