MJ10009

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MJ10009概述

NTE ELECTRONICS  MJ10009  单晶体管 双极, NPN, 500 V, 175 W, 20 A, 40 hFE

The is a 500V NPN silicon Darlington Transistor designed for high voltage, high-speed, power switching in inductive circuits where fall-time is critical. The NTE98 is particularly suited for line operated switch-mode applications.

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8V Emitter to base voltage VEBO
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2.5A Base current IB
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1°C/W Thermal resistance, junction to case
MJ10009中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 175 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 200 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Active

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买MJ10009
型号: MJ10009
制造商: NTE Electronics
描述:NTE ELECTRONICS  MJ10009  单晶体管 双极, NPN, 500 V, 175 W, 20 A, 40 hFE
替代型号MJ10009
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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