MCP14E3-E/P

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MCP14E3-E/P概述

MICROCHIP  MCP14E3-E/P  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 50ns延迟, DIP-8

MCP14E3/E4/E5 MOSFET 驱动器

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低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A


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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP


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门驱动器 4.5A Dual MOSFET Driver


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MICROCHIP  MCP14E3-E/P  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 50ns延迟, DIP-8


艾睿:
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv Automotive 8-Pin PDIP Tube


安富利:
MOSFET DRVR 4A 2-OUT Lo Side Inv 8-Pin PDIP Tube


Chip1Stop:
MOSFET DRVR 4A 2-OUT Lo Side Inv 8-Pin PDIP Tube


TME:
Driver; MOSFET gate driver; 4.5A; Channels:2; 4.5÷18V; DIP8


Newark:
# MICROCHIP  MCP14E3-E/P  DRIVER, MOSFET, DUAL, 4A, 22V, PDIP-8


MCP14E3-E/P中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

工作电压 4.5V ~ 18V

上升/下降时间 15ns, 18ns

输出接口数 2

输出电压 18.0 V

输出电流 4.5 A

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 1.1 W

上升时间 30 ns

输出电压Max 17.975 V

输出电压Min 0.025 V

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1100 mW

电源电压 4.5V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

长度 9.27 mm

宽度 6.35 mm

高度 3.3 mm

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Automotive, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

MCP14E3-E/P引脚图与封装图
MCP14E3-E/P引脚图
MCP14E3-E/P封装图
MCP14E3-E/P封装焊盘图
在线购买MCP14E3-E/P
型号: MCP14E3-E/P
制造商: Microchip 微芯
描述:MICROCHIP  MCP14E3-E/P  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 50ns延迟, DIP-8
替代型号MCP14E3-E/P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MCP14E3-E/P

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

MCP14E5-E/P

微芯

完全替代

MCP14E3-E/P和MCP14E5-E/P的区别

MCP14E4-E/P

微芯

完全替代

MCP14E3-E/P和MCP14E4-E/P的区别

MCP14E3T-E/MF

微芯

完全替代

MCP14E3-E/P和MCP14E3T-E/MF的区别

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