MVDF2C03HDR2G

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MVDF2C03HDR2G概述

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 30V 4.1A,3A 2W 表面贴装型 8-SOIC


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC


贸泽:
ON Semiconductor


艾睿:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC


MVDF2C03HDR2G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 630pF @24VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MVDF2C03HDR2G
型号: MVDF2C03HDR2G
描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

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