MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 30V 4.1A,3A 2W 表面贴装型 8-SOIC
得捷: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
贸泽: ON Semiconductor
艾睿: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 630pF @24VVds
额定功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册