Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3Pin2+Tab DPAK T/R
P-Channel 60V 5A Tc 2.1W Ta, 40W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -5.00 A
漏源极电阻 340 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.1W Ta, 40W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 26.0 ns
输入电容Ciss 510pF @25VVds
额定功率Max 40 W
耗散功率Max 2.1W Ta, 40W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MTD5P06VT4 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MTD5P06VT4G 安森美 | 类似代替 | MTD5P06VT4和MTD5P06VT4G的区别 |
MTD6N20ET4G 安森美 | 功能相似 | MTD5P06VT4和MTD6N20ET4G的区别 |
MTD6P10E 安森美 | 功能相似 | MTD5P06VT4和MTD6P10E的区别 |