功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
表面贴装型 N 通道 6A（Tc） DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
额定电压DC 150 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 300 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.25W Ta, 20W Tc
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
耗散功率Max 1.25W Ta, 20W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MTD6N15T4 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MTD6N15T4G 安森美 | 类似代替 | MTD6N15T4和MTD6N15T4G的区别 |
MTD6N15 摩托罗拉 | 功能相似 | MTD6N15T4和MTD6N15的区别 |