MMSF3P02HDR2参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMSF3P02HDR2概述

功率MOSFET 3安培， 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8

表面贴装型 P 通道 20 V 5.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC

得捷:
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

贸泽:
MOSFET 20V 3A P-Channel

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-Pin SOIC N T/R

MMSF3P02HDR2中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -3.00 A

通道数 1

漏源极电阻 75 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.60 A

上升时间 135 ns

输入电容Ciss 1400pF @16VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMSF3P02HDR2

型号： MMSF3P02HDR2

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET 3安培， 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8

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替代型号MMSF3P02HDR2

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