MTD6N20ET4参数规格_中文资料_数据手册PDF

MTD6N20ET4概述

功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK

N-Channel 200V 6A Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

MTD6N20ET4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 6.00 A

漏源极电阻 460 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.75W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 29.0 ns

输入电容Ciss 480pF @25VVds

额定功率Max 1.75 W

耗散功率Max 1.75W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MTD6N20ET4

型号： MTD6N20ET4

描述：功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK

替代型号MTD6N20ET4