0.5A,60V,N沟道功率MOSFET
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @200mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •AEC Q101 Qualified − MVBF170LT1 •These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 AEC Q101标准 - MVBF170LT1 •这些器件是无铅，符合RoHS标准
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
通道数 1
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 60pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 225mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBF170LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBF170LT3G 安森美 | 完全替代 | MMBF170LT1和MMBF170LT3G的区别 |
MMBF170LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBF170LT1和MMBF170LT1G的区别 |
MMBF170LT3 安森美 | 类似代替 | MMBF170LT1和MMBF170LT3的区别 |