MMBF170LT3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBF170LT3概述

功率MOSFET 500毫安， 60 V的N沟道SOT- 23 Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23

N-Channel 60V 500mA Ta 225mW Ta Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

MMBF170LT3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

漏源极电阻 5.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225mW Ta

输入电容 60.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 500 mA

输入电容Ciss 60pF @10VVds

额定功率Max 225 mW

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBF170LT3

型号： MMBF170LT3

描述：功率MOSFET 500毫安， 60 V的N沟道SOT- 23 Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23

替代型号MMBF170LT3