MRF10350参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF10350概述

微波脉冲功率型硅NPN晶体管350W （峰值）， 1025-1150MHz Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 350W peak, 1025-1150MHz

RF NPN 65V 31A - 350W 底座安装 355E-01，1 型

得捷:
RF TRANS NPN 65V 355E-01

Verical:
Trans RF BJT NPN 65V 3-Pin Case 355E-01

MRF10350中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1590 W

输出功率 350 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

增益 9 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @5A, 5V

额定功率Max 350 W

封装参数

安装方式 Chassis

封装 355E-01

外形尺寸

封装 355E-01

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF10350

型号： MRF10350

制造商： M/A-Com

描述：微波脉冲功率型硅NPN晶体管350W （峰值）， 1025-1150MHz Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 350W peak, 1025-1150MHz

替代型号MRF10350