NXP MRF1513NT1 晶体管, 射频FET, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5
The is a N-channel RF Power FET designed for broadband applications with frequencies to 520MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5V portable and 12.5V mobile FM equipment.
频率 520 MHz
额定电流 2 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 31.25 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
输出功率 3 W
增益 15 dB
测试电流 50 mA
输入电容Ciss 33pF @12.5VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 31250 mW
额定电压 40 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PLD-1
封装 PLD-1
重量 280.0 mg
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 商业, 工业, Industrial, Commercial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99