MT49H8M36BM-33 TR

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MT49H8M36BM-33 TR概述

DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144Pin UBGA T/R

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 144-µBGA(18.5x11)


得捷:
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA


艾睿:
DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 8Mx36 1.8V 144-Pin UBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 8Mx36 1.8V 144-Pin UBGA T/R


Win Source:
IC RLDRAM 288MBIT 3.3NS 144UBGA


MT49H8M36BM-33 TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MT49H8M36BM-33 TR
型号: MT49H8M36BM-33 TR
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144Pin UBGA T/R
替代型号MT49H8M36BM-33 TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT49H8M36BM-33 TR

Micron 镁光

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当前型号

MT49H8M36BM-33:B TR

镁光

完全替代

MT49H8M36BM-33 TR和MT49H8M36BM-33:B TR的区别

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