MRF5812G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF5812G概述

Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8Pin SOIC

RF NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W 表面贴装型 8-SO

得捷:
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

贸泽:
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC

MRF5812G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1250 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 13dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 5V

额定功率Max 1.25 W

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MRF5812G

描述：Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8Pin SOIC