MRF581

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MRF581概述

射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount Micro-X ceramic 84C


得捷:
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X


艾睿:
Trans RF BJT NPN 18V 0.2A 4-Pin Macro-X


MRF581中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1250 mW

击穿电压集电极-发射极 18 V

增益 13dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 5V

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 Macro-X

外形尺寸

高度 2.54 mm

封装 Macro-X

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF581
型号: MRF581
描述:射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
替代型号MRF581
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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