MRF8372G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF8372G概述

RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor

RF NPN 16V 200mA 870MHz 2.2W 表面贴装型 8-SO

得捷:
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

贸泽:
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor

艾睿:
General purpose Power

MRF8372G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 16 V

增益 8dB ~ 9.5dB

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 5V

额定功率Max 2.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF8372G

型号： MRF8372G

描述：RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor