MRF586参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF586概述

射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

RF Transistor NPN 17V 200mA 3GHz 1W Through Hole TO-39

得捷:
RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39

艾睿:
Trans RF BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin TO-39

富昌:
NPN 1 W 17 V 1 GHz Through Hole RF Microwave Discrete Transistor - TO-39

Verical:
Trans RF BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin TO-39

MRF586中文资料参数规格

技术参数

频率 3000 MHz

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 17 V

增益 13.5 dB

最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

高度 6.6 mm

封装 TO-205

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MRF586

描述：射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

替代型号MRF586