MS1261参数规格_中文资料_数据手册PDF

MS1261概述

RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PLASTIC, M122, 4Pin

RF NPN 18V 2.5A 175MHz 34W 底座，接线柱安装 M122

得捷:
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122

贸泽:
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 18V 2.5A 4-Pin Case M-122

MS1261中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 34000 mW

击穿电压集电极-发射极 18 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @250mA, 5V

额定功率Max 34 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 34000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 M-122

外形尺寸

高度 16.26 mm

封装 M-122

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MS1261

型号： MS1261

描述：RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PLASTIC, M122, 4Pin

替代型号MS1261