MS2200

MS2200概述

RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.5INCH, HERMETIC SEALED, M102, 4Pin

RF NPN 65V 43.2A 400MHz ~ 500MHz 1167W 底座安装 M102


得捷:
RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102


艾睿:
Trans RF BJT NPN 65V 43.2A 5-Pin Case M-102


MS2200中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1167000 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

增益 9.7 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @5A, 5V

额定功率Max 1167 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1167000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 5

封装 M-102

外形尺寸

封装 M-102

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MS2200
型号: MS2200
描述:RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.5INCH, HERMETIC SEALED, M102, 4Pin
替代型号MS2200
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MS2200

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当前型号

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