M29W160EB70N6E

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M29W160EB70N6E概述

MICRON  M29W160EB70N6E  闪存, 引导块, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚

FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb(2M x 8,1M x 16) 并联 70 ns 48-TSOP


得捷:
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP


e络盟:
闪存, 引导块, 并行NOR, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚


艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48-Pin TSOP Tray


Chip1Stop:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48-Pin TSOP Tray


TME:
Memory; Flash EPROM; parallel; 2Mx8/1Mx16bit; 70ns; TSOP48


Verical:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48-Pin TSOP Tray


Newark:
Flash Memory, Boot Block, 16 Mbit, 2M x 8bit / 1M x 16bit, Parallel, TSOP, 48 Pins


DeviceMart:
IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP


Win Source:
IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP


M29W160EB70N6E中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

工作电压 2.7V ~ 3.6V

供电电流 10 mA

针脚数 48

位数 8, 16

存取时间 70 ns

内存容量 2000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TSOP-48

外形尺寸

封装 TSOP-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Communications & Networking, 通信与网络

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

M29W160EB70N6E引脚图与封装图
M29W160EB70N6E引脚图
M29W160EB70N6E封装图
M29W160EB70N6E封装焊盘图
在线购买M29W160EB70N6E
型号: M29W160EB70N6E
制造商: Micron 镁光
描述:MICRON  M29W160EB70N6E  闪存, 引导块, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
替代型号M29W160EB70N6E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

M29W160EB70N6E

Micron 镁光

当前型号

当前型号

M29W160EB70N6F

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完全替代

M29W160EB70N6E和M29W160EB70N6F的区别

M29W160EB7AN6F

镁光

完全替代

M29W160EB70N6E和M29W160EB7AN6F的区别

M29W160EB7AN6E

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类似代替

M29W160EB70N6E和M29W160EB7AN6E的区别

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