MT41K128M16JT-125 XIT

MICRON  MT41K128M16JT-125 XIT  芯片, 存储器, SDRAM, DDR3, 2GB, 96FBGA

是一个1.35V DDR3L SDRAM, 是1.5V DDR3 SDRAM的低电压版本.除另行说明外, DDR3L SDRAM设备符合等效密度标准或汽车DDR3 SDRAM中所描述的功能和时序规范.

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VDD = VDDQ = 1.35V 1.283至1.45V

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向下兼容至VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

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差分双向数据频闪

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8n位预取架构

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差分时钟输入CK, CK#

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8 内部存储单元

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标称和动态片内端子ODT用于数据, 频闪和掩码信号

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可编程CAS READ 延迟CL

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可编程Posted CAS 加法延迟AL

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可编程CAS WRITE 延迟CWL

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固定突发长度 BL为8和爆裂BC为4 通过模式寄存器集 [MRS]

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可选择BC4或BL8 高速数据传输错误纠正OTF

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自刷新模式

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TC, 0至+95°C, 64ms, 8192循环刷新 @ 0至+85°C, 32ms @ +85至+95°C

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自刷新温度 SRT

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自动自刷新ASR

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写水平

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多用寄存器

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输出驱动器校准

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AEC-Q100认证