MT45W1MW16BABB-706 WT TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT45W1MW16BABB-706 WT TR概述

PSRAM Async 1 16M-Bit 1M x 16 70ns 54Pin VFBGA T/R

PSRAM（伪 SRAM）存储器 IC 16Mb（1M x 16）并联 54-VFBGA（6x9）

得捷:
IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA

安富利:
PSRAM Async 1 16M-Bit 1M x 16 70ns 54-Pin VFBGA T/R

MT45W1MW16BABB-706 WT TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.95 V max

时钟频率 66.0MHz max

存取时间 70.0 ns

内存容量 16000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 VFBGA-54

外形尺寸

封装 VFBGA-54

物理参数

工作温度 -30℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT45W1MW16BABB-706 WT TR

型号： MT45W1MW16BABB-706 WT TR

描述：PSRAM Async 1 16M-Bit 1M x 16 70ns 54Pin VFBGA T/R