MT46V64M8BN-5B:F TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT46V64M8BN-5B:F TR概述

IC SDRAM 512Mbit 200MHz 60FBGA

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 200 MHz 700 ps 60-FBGA（10x12.5）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA T/R

MT46V64M8BN-5B:F TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 2.60 V, 2.70 V max

时钟频率 200MHz max

存取时间 5.00 ns

内存容量 512000000 B

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MT46V64M8BN-5B:F TR引脚图与封装图

在线购买MT46V64M8BN-5B:F TR

型号： MT46V64M8BN-5B:F TR

描述：IC SDRAM 512Mbit 200MHz 60FBGA

替代型号MT46V64M8BN-5B:F TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MT46V64M8BN-5B:F TR Micron 镁光	当前型号	当前型号
MT46V64M8CY-5B:J TR 镁光	功能相似	MT46V64M8BN-5B:F TR和MT46V64M8CY-5B:J TR的区别

型号/品牌

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MT46V64M8BN-5B:F TR

Micron 镁光

当前型号

MT46V64M8CY-5B:J TR

镁光

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