MT48H8M32LFF5-8概述
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90Pin VFBGA Tray
SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 125MHz 7ns 90-VFBGA 8x13
得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA
艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA Tray
Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 8Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA Tray
Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 90VFBGA
MT48H8M32LFF5-8中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max
工作电压 1.80 V
时钟频率 125MHz max
位数 32
存取时间 125 µs
内存容量 256000000 B
存取时间Max 7ns, 9ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 90
封装 VFBGA-90
外形尺寸
封装 VFBGA-90
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MT48H8M32LFF5-8引脚图与封装图 
