MT47R256M8EB-25E:C

MT47R256M8EB-25E:C概述

DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12.5M, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 60-FBGA(9x11.5)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA


MT47R256M8EB-25E:C中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.55 V

电源电压 1.55V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT47R256M8EB-25E:C
型号: MT47R256M8EB-25E:C
制造商: Micron 镁光
描述:DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12.5M, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
替代型号MT47R256M8EB-25E:C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47R256M8EB-25E:C

Micron 镁光

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MT47H256M8EB-25:C

镁光

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MT47R256M8EB-25E:C和MT47H256M8EB-25:C的区别

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