M93C66-WMN6T参数规格_中文资料_数据手册PDF

M93C66-WMN6T概述

16Kbit的， 8Kbit ， 4k位， 2Kbit和的1K位（ 8位或16位宽） MICROWIRE串行EEPROM的访问 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 8-bit or 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM

EEPROM 存储器 IC 4Kb（512 x 8，256 x 16） SPI 2 MHz 8-SO

得捷:
IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC

贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 4K 512x8 or 256x16

M93C66-WMN6T中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 4.00 MHz, 2.00 MHz max

存取时间 4.00 µs

内存容量 4000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买M93C66-WMN6T

型号： M93C66-WMN6T

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：16Kbit的， 8Kbit ， 4k位， 2Kbit和的1K位（ 8位或16位宽） MICROWIRE串行EEPROM的访问 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 8-bit or 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM

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