M93C46-RDS6G参数规格_中文资料_数据手册PDF

M93C46-RDS6G概述

IC EEPROM 1Kbit 1MHz 8TSSOP

EEPROM Memory IC 1Kb 128 x 8, 64 x 16 SPI 1MHz 8-TSSOP

得捷:
IC EEPROM 1KBIT SPI 1MHZ 8TSSOP

贸泽:
EEPROM 1K 64x8 or 32x16

M93C46-RDS6G中文资料参数规格

技术参数

内存容量 1000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.85 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买M93C46-RDS6G

型号： M93C46-RDS6G

描述：IC EEPROM 1Kbit 1MHz 8TSSOP

替代型号M93C46-RDS6G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
M93C46-RDS6G ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
93AA46C-I/ST 微芯	功能相似	M93C46-RDS6G和93AA46C-I/ST的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

M93C46-RDS6G

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

93AA46C-I/ST

微芯

功能相似