M29W200BB55N1

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M29W200BB55N1中文资料参数规格
技术参数

存取时间 55.0 ns

内存容量 2000000 B

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-48

外形尺寸

封装 TSOP-48

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买M29W200BB55N1
型号: M29W200BB55N1
描述:2兆位( 256Kb的X8或X16 128KB ,引导块)低压单电源闪存 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
替代型号M29W200BB55N1
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