MJD127

MJD127图片1
MJD127图片2
MJD127图片3
MJD127图片4
MJD127概述

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor

Complementary Darlington Power Transistor

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

• Surface Mount Replacements for 2N6040−2N6045 Series, TIP120−TIP122 Series, and TIP125−TIP127 Series

• Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors

• High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4.0 Adc

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings:

   ♦ Human Body Model, 3B > 8000 V

   ♦ Machine Model, C > 400 V

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

MJD127中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -8.00 A

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 1000

最大电流放大倍数hFE 12000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD127
型号: MJD127
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor
替代型号MJD127
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD127

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJD127T4G

安森美

类似代替

MJD127和MJD127T4G的区别

MJD127G

安森美

类似代替

MJD127和MJD127G的区别

KSH127TF

安森美

类似代替

MJD127和KSH127TF的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司