额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
通道数 2
极性 NPN+PNP
耗散功率 187 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80
最大电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SC-88-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-88-6
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5314DW1T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5314DW1T1G 安森美 | 功能相似 | MUN5314DW1T1和MUN5314DW1T1G的区别 |
UMD9NTR 罗姆半导体 | 功能相似 | MUN5314DW1T1和UMD9NTR的区别 |
DCX114YU-7-F 美台 | 功能相似 | MUN5314DW1T1和DCX114YU-7-F的区别 |