MICRON M29W800DT70N6E 闪存, 引导块, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
是一款8Mb 3V电源非易失性闪存. 读取, 擦除和重新编程操作可以使用2.7至3.6V单电压执行. 上电时, 存储器默认为读取模式, 可以采用与ROM或EPROM相同的方式读取. 存储器被分成可以独立擦除的块, 因此可以在擦除旧数据时保留有效数据. 可以单独保护每个块, 以防止意外写入或擦除命令修改存储器. 编程和擦除命令被写入存储器的命令接口. 片上编程/擦除控制器通过用于执行存储器内容所需的所有操作, 简化了编程或擦除存储器的过程. 可以检测编程或擦除操作是否结束, 并识别任何错误条件. 控制存储器所需的命令集与符合JEDEC标准.
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- 编程/擦除控制器 - 嵌入式字节/字编程算法
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- 解锁旁路编程命令 - 更快的批量编程
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- 临时扇区无保护模式
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- 低功耗 - 待机和自动待机
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- 每个扇区100000次编程/擦除周期
电源电压DC 2.70V min
针脚数 48
位数 8, 16
存取时间 70 ns
内存容量 1000000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TSOP-48
封装 TSOP-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Communications & Networking, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
M29W800DT70N6E Micron 镁光 | 当前型号 | 当前型号 |
S29AL008J70TFI010 赛普拉斯 | 类似代替 | M29W800DT70N6E和S29AL008J70TFI010的区别 |
M29W800DT45N6E 镁光 | 类似代替 | M29W800DT70N6E和M29W800DT45N6E的区别 |
A29L800ATV-70F 联笙电子 | 功能相似 | M29W800DT70N6E和A29L800ATV-70F的区别 |