晶体管, 射频FET, 110 V, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230
RF Mosfet LDMOS(双) 860MHz 22.5dB 90W NI-1230
得捷:
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
Newark:
# NXP MRF6VP3450HR5 RF FET Transistor, 110 V, 470 MHz, 860 MHz, NI-1230
RfMW:
RF Power Transistor,470 to 860 MHz, 450 W, Typ Gain in dB is 22.5 @ 860 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
频率 860 MHz
额定电流 10 µA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 4
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 110 V
输出功率 90 W
增益 22.5 dB
测试电流 1.4 A
输入电容Ciss 373pF @50VVds
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 110 V
电源电压 50 V
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 NI-1230
封装 NI-1230
重量 13192.6 mg
工作温度 -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MRF6VP3450HR5 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MRF6VP3450HR6 恩智浦 | 完全替代 | MRF6VP3450HR5和MRF6VP3450HR6的区别 |