晶体管, 射频FET, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
RF Mosfet LDMOS(双) 230MHz 25dB 600W NI-1230-4H
得捷:
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
e络盟:
晶体管, 射频FET, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 130V 4-Pin NI-1230 T/R
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
Newark:
# NXP MRFE6VP5600HR5 RF FET Transistor, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
频率 230 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 4
耗散功率 1.667 kW
漏源极电压Vds 130 V
输出功率 600 W
增益 25 dB
测试电流 100 mA
输入电容Ciss 342pF @50VVds
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 130 V
电源电压 50 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 NI-1230-4H
封装 NI-1230-4H
重量 13155.2 mg
工作温度 -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通信与网络, 工业, 国防, 军用与航空
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MRFE6VP5600HR5 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MRFE6VP5600HR6 恩智浦 | 完全替代 | MRFE6VP5600HR5和MRFE6VP5600HR6的区别 |
MRF6VP2600HR5 恩智浦 | 功能相似 | MRFE6VP5600HR5和MRF6VP2600HR5的区别 |
MRF6VP2600HR6 恩智浦 | 功能相似 | MRFE6VP5600HR5和MRF6VP2600HR6的区别 |