MRFE6VP5600HR5

MRFE6VP5600HR5图片1
MRFE6VP5600HR5图片2
MRFE6VP5600HR5图片3
MRFE6VP5600HR5图片4
MRFE6VP5600HR5图片5
MRFE6VP5600HR5图片6
MRFE6VP5600HR5图片7
MRFE6VP5600HR5概述

晶体管, 射频FET, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

RF Mosfet LDMOS(双) 230MHz 25dB 600W NI-1230-4H


得捷:
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230


e络盟:
晶体管, 射频FET, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 130V 4-Pin NI-1230 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R


Newark:
# NXP  MRFE6VP5600HR5  RF FET Transistor, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787


MRFE6VP5600HR5中文资料参数规格
技术参数

频率 230 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 4

耗散功率 1.667 kW

漏源极电压Vds 130 V

输出功率 600 W

增益 25 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 342pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 130 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 NI-1230-4H

外形尺寸

封装 NI-1230-4H

物理参数

重量 13155.2 mg

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通信与网络, 工业, 国防, 军用与航空

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRFE6VP5600HR5
型号: MRFE6VP5600HR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:晶体管, 射频FET, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
替代型号MRFE6VP5600HR5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MRFE6VP5600HR5

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

MRFE6VP5600HR6

恩智浦

完全替代

MRFE6VP5600HR5和MRFE6VP5600HR6的区别

MRF6VP2600HR5

恩智浦

功能相似

MRFE6VP5600HR5和MRF6VP2600HR5的区别

MRF6VP2600HR6

恩智浦

功能相似

MRFE6VP5600HR5和MRF6VP2600HR6的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台