





晶体管, 射频FET, 110 V, 1.8 MHz, 150 MHz, NI-1230
RF Mosfet LDMOS(双) 130MHz 26dB 1000W NI-1230S-4 GULL
得捷:
RF MOSFET LDMOS DL 50V NI1230S-4
立创商城:
MRF6VP11KHR5
e络盟:
晶体管, 射频FET, 110 V, 1.8 MHz, 150 MHz, NI-1230
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
Newark:
# NXP MRF6VP11KHR5 RF FET Transistor, 110 V, 1.8 MHz, 150 MHz, NI-1230
频率 130 MHz
额定电流 5 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 4
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 110 V
输出功率 1000 W
增益 26 dB
测试电流 150 mA
输入电容Ciss 506pF @50VVds
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 110 V
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 NI-1230S-4
封装 NI-1230S-4
工作温度 -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MRF6VP11KHR5 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MRF6VP11KHR6 恩智浦 | 类似代替 | MRF6VP11KHR5和MRF6VP11KHR6的区别 |