MRF6VP11KHR5

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MRF6VP11KHR5概述

晶体管, 射频FET, 110 V, 1.8 MHz, 150 MHz, NI-1230

RF Mosfet LDMOS(双) 130MHz 26dB 1000W NI-1230S-4 GULL


得捷:
RF MOSFET LDMOS DL 50V NI1230S-4


立创商城:
MRF6VP11KHR5


e络盟:
晶体管, 射频FET, 110 V, 1.8 MHz, 150 MHz, NI-1230


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R


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Trans MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R


Newark:
# NXP  MRF6VP11KHR5  RF FET Transistor, 110 V, 1.8 MHz, 150 MHz, NI-1230


MRF6VP11KHR5中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

额定电流 5 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 4

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 110 V

输出功率 1000 W

增益 26 dB

测试电流 150 mA

输入电容Ciss 506pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 NI-1230S-4

外形尺寸

封装 NI-1230S-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF6VP11KHR5
型号: MRF6VP11KHR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:晶体管, 射频FET, 110 V, 1.8 MHz, 150 MHz, NI-1230
替代型号MRF6VP11KHR5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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恩智浦

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MRF6VP11KHR5和MRF6VP11KHR6的区别

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