Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-235MHz, 1000W, 50V
RF Mosfet LDMOS（双） 225MHz 24dB 1000W NI-1230
得捷:
FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
频率 225 MHz
额定电流 5 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 110 V
输出功率 1000 W
增益 24 dB
测试电流 150 mA
输入电容Ciss 506pF @50VVds
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 110 V
安装方式 Screw
引脚数 5
封装 NI-1230
封装 NI-1230
工作温度 -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MRF6VP21KHR5 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MRF6VP21KHR6 恩智浦 | 完全替代 | MRF6VP21KHR5和MRF6VP21KHR6的区别 |