MCP14E8-E/SN

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MCP14E8-E/SN概述

MICROCHIP  MCP14E8-E/SN.  芯片, MOSFET驱动器, SOIC-8

低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A


欧时:
Microchip MCP14E8-E/SN 双 MOSFET 功率驱动器, 2A, 4.5 → 18 V电源, 8引脚 SOIC封装


贸泽:
Gate Drivers 3A MOSFET Driver


e络盟:
芯片, MOSFET驱动器, SOIC-8


艾睿:
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N Tube


Allied Electronics:
IC, MOSFET DRIVER; 2A COMPLEMENTARY, DUALOUTPUT; -40 TO 125C; SOIC-8


安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube


Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N Tube


TME:
Driver; MOSFET gate driver; 2A; Channels:2; 4.5÷18V; SO8


Verical:
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
# MICROCHIP  MCP14E8-E/SN  MOSFET Driver, Low Side, 4.5V-18V supply, 2A and 2.8 ohm output, SOIC-8


MCP14E8-E/SN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

工作电压 4.5V ~ 18V

上升/下降时间 12ns, 15ns

输出接口数 2

输出电压 18 V

输出电流 2 A

通道数 2

针脚数 8

输入电流 1 µA

耗散功率 699 mW

上升时间 35ns Max

下降时间 40ns Max

下降时间Max 35 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 669 mW

电源电压 4.5V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MCP14E8-E/SN引脚图与封装图
MCP14E8-E/SN引脚图
MCP14E8-E/SN封装图
MCP14E8-E/SN封装焊盘图
在线购买MCP14E8-E/SN
型号: MCP14E8-E/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:MICROCHIP  MCP14E8-E/SN.  芯片, MOSFET驱动器, SOIC-8
替代型号MCP14E8-E/SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MCP14E8-E/SN

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

MCP14E6-E/SN

微芯

完全替代

MCP14E8-E/SN和MCP14E6-E/SN的区别

MCP14E7-E/SN

微芯

完全替代

MCP14E8-E/SN和MCP14E7-E/SN的区别

MCP14E6-E/MF

微芯

完全替代

MCP14E8-E/SN和MCP14E6-E/MF的区别

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