MCP632-E/SN

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MCP632-E/SN概述

MCP632 系列 5.5 V 24 MHz 轨对轨 I/O 运算放大器 - SOIC-8

MCP631/632/633/634/635/639


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


欧时:
Dual, 24MHz OP Amp, Extended temp


立创商城:
MCP632-E/SN


艾睿:
Op Amp Dual High Gain Amplifier R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


Allied Electronics:
IC, Op Amp; Operating Voltage, 2.5 - 5.5V; Outputs, 2; GBWP, 24000kHz; SOIC-8


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N


TME:
Operational amplifier; 24MHz; 2.5÷5.5V; Channels:2; SO8


Verical:
Op Amp Dual High Gain Amplifier R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
# MICROCHIP  MCP632-E/SN  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 24 MHz, 10 V/µs, 2.5V to 5.5V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OPAMP R-R 24MHZ DUAL 8SOIC


MCP632-E/SN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50V min

工作电压 2.5V ~ 5.5V

输出电流 ≤150 mA

供电电流 2.5 mA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 63 dB

静态电流 3.6 mA

输入补偿漂移 2.00 µV/K

带宽 24 MHz

转换速率 10.0 V/μs

增益频宽积 24 MHz

增益 124 dB

输入补偿电压 8 mV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 24 MHz

共模抑制比Min 63 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

MCP632-E/SN引脚图与封装图
MCP632-E/SN引脚图
MCP632-E/SN封装图
MCP632-E/SN封装焊盘图
在线购买MCP632-E/SN
型号: MCP632-E/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:MCP632 系列 5.5 V 24 MHz 轨对轨 I/O 运算放大器 - SOIC-8
替代型号MCP632-E/SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MCP632-E/SN

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

MCP632-E/MF

微芯

完全替代

MCP632-E/SN和MCP632-E/MF的区别

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